BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:-//TUC//Events//EN CALSCALE:GREGORIAN BEGIN:VTIMEZONE TZID:Europe/Athens TZNAME:EEST DTSTART:19700329T030000 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=-1SU;BYMONTH=3 BEGIN:STANDARD TZOFFSETFROM:+0200 TZOFFSETTO:+0300 TZNAME:EET DTSTART:19701025T040000 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=-1SU;BYMONTH=10 END:STANDARD END:VTIMEZONE BEGIN:VEVENT CREATED:20260401T080243Z LAST-MODIFIED:20260401T080243Z DTSTAMP:20260719T210041Z UID:1784484041@tuc.gr SUMMARY:Παρουσίαση Διπλωματικής Εργασίας κ. Αναστασίου Γεωργίου - Σχολή ΗΜΜΥ LOCATION: DESCRIPTION:https://www.ece.tuc.gr/el/katalogos- ekdiloseon?tx_tucevents2_tuceventsdi splay%5Baction%5D=show&tx_tucevents2 _tuceventsdisplay%5Bcontroller%5D=Ev ent&tx_tucevents2_tuceventsdisplay%5 Bevent%5D=8369&cHash=31654c28fdd5f65 de238f3ab201963e7\nΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗ Σ\n Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών\n Πρόγραμμα Π ροπτυχιακών Σπουδών\n ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠ ΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ\n Αναστασίου Γεωρ γίου\n με θέμα\n Αξιολόγηση και Μοντ ελοποίηση Τεχνολογίας SiC MOSFET για Εφαρμογές σε Υψηλές Θερμοκρασίες\n Evaluation and Modeling of SiC MOSFE T Τechnology for High Temperature Ap plications\n Εξεταστική Επιτροπή\n Κ αθηγητής Ματτίας Μπούχερ (επιβλέπων) \n Καθηγητής Κωνσταντίνος Γυφτάκης\n Επίκουρος Καθηγητής Γεώργιος Πέππας \n Περίληψη\n Τα τελευταία χρόνια, ο ι διατάξεις βασισμένες σε ημιαγωγούς ευρέος ενεργειακού χάσματος (wide b andgap semiconductors) όπως το 4H-Si C, χρησιμοποιούνται ολοένα και περισ σότερο σε εφαρμογές ισχύος και υψηλή ς ϑερμοκρασίας, λόγω του μεγάλου ενε ργειακού χάσματος, της αντοχής σε υψ ηλά ηλεκτρικά πεδία και της βελτιωμέ νης ϑερμικής τους συμπεριφοράς σε σύ γκριση με το πυρίτιο.\n Στο πλαίσιο αυτό, η παρούσα διπλωματική εργασία επικεντρώνεται στην αξιολόγηση και μ οντελοποίηση MOSFET τεχνολογίας 2μm 4H-SiC για λειτουργία σε αυξημένες ϑ ερμοκρασίες. Τα υπό μελέτη δείγματα προέρχονται από το Γερμανικό Ερευνητ ικό Ινστιτούτο Fraunhofer IISB, ενώ οι ηλεκτρικές μετρήσεις πραγματοποιή θηκαν στο εργαστήριο σε ϑερμοκρασιακ ό εύρος από 25 ⁰C έως 150 ⁰C.\n Η ερ γασία βασίζεται στο μοντέλο EKV για την περιγραφή της λειτουργίας των δι ατάξεων με έμφαση στη ϑερμοκρασιακή εξάρτηση βασικών φυσικών παραμέτρων και στη βελτίωση της περιγραφής της συμπεριφοράς του καναλιού. Πραγματοπ οιείται εξαγωγή παραμέτρων από μετρή σεις C–V και I–V, ενώ το Low-Field M obility εξάγεται προκειμένου να μελε τηθεί η μεταβολή της κινητικότητας μ ε την αύξηση της ϑερμοκρασίας και να αξιολογηθεί η επίδραση ϑερμικών φαι νομένων στη λειτουργία των διατάξεων .\n Η ανάλυση αναδεικνύει διαφοροποί ηση στη νόθευση μεταξύ NMOS και PMOS διατάξεων με τις συσκευές PMOS να π αρουσιάζουν ενδείξεις Non-Uniform Do ping γεγονός που οδηγεί σε επέκταση του βασικού μοντέλου. Το προτεινόμεν ο μοντέλο επιτυγχάνει βελτιωμένη προ σέγγιση με τα πειραματικά δεδομένα κ αι συμβάλλει στην ακριβέστερη κατανό ηση της συμπεριφοράς των SiC MOSFET σε συνθήκες υψηλής ϑερμοκρασίας.\n A bstract \n In recent years, devices based on wide bandgap semiconductors , such as 4H-SiC have been increasin gly used in power and high-temperatu re applications due to their large b andgap, high electric field strength and improved thermal performance co mpared to silicon.\n In this context , the present diploma thesis focuses on the evaluation and modeling of 2 μm 4H-SiC MOSFET technology for oper ation at elevated temperatures. The devices under study were provided by the German Research Institute Fraun hofer IISB and the electrical measur ements were performed at the laborat ory over a temperature range from 25 ⁰C to 150 ⁰C.\n The work is based o n the EKV MOSFET model for describin g device operation with emphasis on the temperature dependence of key ph ysical parameters and on improving t he description of channel behavior. Parameter extraction is performed us ing C–V and I–V measurements, while the low-field mobility is extracted in order to study how mobility chang es with increasing temperature and t o evaluate the impact of thermal eff ects on device performance.\n The an alysis reveals differences in doping profiles between NMOS and PMOS devi ces with the PMOS devices showing cl ear indications of Non-Uniform Dopin g. This observation leads to an exte nsion of the basic model. The propos ed model achieves an improved fit wi th the experimental data and contrib utes to a more accurate understandin g of the behavior of SiC MOSFETs und er high-temperature operating condit ions.\n STATUS:CONFIRMED ORGANIZER;RSVP=FALSE;CN=TUC;CUTYPE=TUC:mailto:webmaster@tuc.gr DTSTART:20260402T140000 DTEND:20260402T150000 TRANSP:OPAQUE CLASS:DEFAULT END:VEVENT END:VCALENDAR