BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:-//TUC//Events//EN CALSCALE:GREGORIAN BEGIN:VTIMEZONE TZID:Europe/Athens TZNAME:EEST DTSTART:19700329T030000 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=-1SU;BYMONTH=3 BEGIN:STANDARD TZOFFSETFROM:+0200 TZOFFSETTO:+0300 TZNAME:EET DTSTART:19701025T040000 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=-1SU;BYMONTH=10 END:STANDARD END:VTIMEZONE BEGIN:VEVENT CREATED:20250926T151707Z LAST-MODIFIED:20250926T151707Z DTSTAMP:20260817T235626Z UID:1787000186@tuc.gr SUMMARY:Παρουσίαση διπλωματικής εργασίας κ. Ευαγγέλου Τζανέτου - Σχολή ΗΜΜΥ LOCATION: DESCRIPTION:https://www.ece.tuc.gr/el/katalogos- ekdiloseon?tx_tucevents2_tuceventsdi splay%5Baction%5D=show&tx_tucevents2 _tuceventsdisplay%5Bcontroller%5D=Ev ent&tx_tucevents2_tuceventsdisplay%5 Bevent%5D=8092&cHash=a436623df4cd2ce 5a036afce86bc3722\nΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗ Σ\n Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών\n Πρόγραμμα Π ροπτυχιακών Σπουδών\n ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠ ΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ\n Ευαγγέλου Τζανέ του \n με θέμα\n Μελέτη κρυογενικών φαινομένων σε τεχνολογία 250 nm Bulk CMOS με τη χρήση μοντέλου φορτίου τ ων MOSFET \n Study of cryogenic temp erature effects in 250 nm Bulk CMOS technology using a charge-based MOSF ET model\n Εξεταστική Επιτροπή\n Καθ ηγητής Matthias Bucher (επιβλέπων)\n Καθηγητής Κωνσταντίνος Μπάλας\n Δρ.  Νικόλαος Φασαράκης\n Περίληψη\n Αυ τή η διατριβή διερευνά τη συμπεριφορ ά των MOS τρανζίστορ σε κρυογενικές θερμοκρασίες, στοχεύοντας συγκεκριμέ να στη μοντελοποίηση συσκευών NMOS κ αι PMOS. Η έρευνα υποκινείται από το ενδιαφέρον για την κρυογονική ηλεκτ ρονική, ιδιαίτερα για κβαντικούς υπο λογισμούς και εφαρμογές εξαιρετικά χ αμηλού θορύβου, στις οποίες τα μοντέ λα θερμοκρασίας δωματίου δεν καταφέρ νουν να περιγράψουν με ακρίβεια τη σ υμπεριφορά των συσκευών.\n Η πειραμα τική βάση της εργασίας προέκυψε από την συνεργασία του καθ. M. Bucher με το CERN, σε τεχνολογία Bulk CMOS 25 0 nm. Η διαδικασία μοντελοποίησης υλ οποιήθηκε στο λογισμικό ICCAP, για δ ιάφορα μήκη καναλιού (5 μm, 1 μm, 28 0 nm) και θερμοκρασίες (300 K, 150 K , 70K, 20 K) σε NMOS και PMOS. Το μο ντέλο προσαρμόστηκε ώστε να αναπαράγ ει την κρυογονική συμπεριφορά που πα ρατηρήθηκε στα δεδομένα, αξιοποιώντα ς πλήρες σετ μετρήσεων για χαρακτηρι στικές μεταφοράς (ID–VG), χαρακτηρισ τικές εξάρτησης από VS (ID–VS), διαγ ωγιμότητα (gm) και αποδοτικότητα δια γωγιμότητας (gmUT/ID – ID). Πραγματο ποιήθηκε κλιμάκωση για μακρύ, ενδιάμ εσο και βραχύ κανάλι, επιτρέποντας τ ην εξαγωγή κρίσιμων παραμέτρων όπως η τάση κατωφλίου (VTH), ο συντελεστή ς κλίσης υποκατωφλίου (n), το ρεύμα ενεργοποίησης (I0)  και η παράμετρος κορεσμού ταχύτητας (λc) σε συνδυασμ ό με την εξάρτησή τους από τη θερμοκ ρασία. \n Tο μοντέλο βασίστηκε στο α πλοποιημένο μοντέλο EKV (SEKV), με κ ατάλληλες τροποποιήσεις ώστε να παρέ χει ένα συνοπτικό,  αλλά βασισμένο σ τη φυσική, μοντέλο της λειτουργίας M OSFET σε ασθενείς, μέτριες και ισχυρ ές περιοχές αναστροφής για όλο το φά σμα θερμοκρασίας. Σκοπός είναι να κα ταδειχθούν οι προκλήσεις που προκαλο ύνται από την ατελή ενεργοποίηση των προσμίξεων, την ενίσχυση της κινητι κότητας και τις αποκλίσεις στη συμπε ριφορά μικρών καναλιών σε συνθήκες β αθιάς κρυογενικότητας.\n Abstract \n This thesis investigates the behavi or of MOS transistors at cryogenic t emperatures, specifically targeting the modeling of NMOS and PMOS device s. The research is motivated by the interest in cryogenic electronics, p articularly for quantum computing an d ultra-low-noise applications, in w hich room-temperature models fail to accurately describe device behavior .\n The experimental basis of this w ork came through the collaboration b etween Prof. M. Bucher and CERN, in which a 250nm Bulk CMOS technology w as used. The modeling procedure was conducted utilizing the ICCAP softwa re for the variation of different le ngths (5μm, 1μm, 280nm) and temperat ures (300 K, 150 K, 70 K, 20 K) of b oth NMOS and PMOS. This model was au gmented so as to match the cryogenic behavior observed from the data acq uired, using a full measurement set including transfer characteristics ( ID–VG), (ID–VS), transconductance (g m), and transconductance efficiency (gmUT/ID – ID) curves. Long, interme diate and short-channel devices were scaled, allowing the extraction of critical parameters such as threshol d voltage (VTH), subthreshold slope factor (n), specific current (I0), v elocity saturation effect (λc), and their temperature scaling behavior.\ n The model was based on the simplif ied EKV (SEKV) model, with the neces sary modifications to provide a conc ise yet physics-based model of the M OSFET operation in weak, moderate, a nd strong inversion regions covering the full temperature range. The pur pose is to show the challenges cause d by incomplete dopant activation, m obility enhancement, and deviations in short-channel behavior at deep-cr yogenic conditions.\n STATUS:CONFIRMED ORGANIZER;RSVP=FALSE;CN=TUC;CUTYPE=TUC:mailto:webmaster@tuc.gr DTSTART:20250929T120000 DTEND:20250929T130000 TRANSP:OPAQUE CLASS:DEFAULT END:VEVENT END:VCALENDAR