BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:-//TUC//Events//EN CALSCALE:GREGORIAN BEGIN:VTIMEZONE TZID:Europe/Athens TZNAME:EEST DTSTART:19700329T030000 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=-1SU;BYMONTH=3 BEGIN:STANDARD TZOFFSETFROM:+0200 TZOFFSETTO:+0300 TZNAME:EET DTSTART:19701025T040000 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=-1SU;BYMONTH=10 END:STANDARD END:VTIMEZONE BEGIN:VEVENT CREATED:20250729T091050Z LAST-MODIFIED:20250729T091050Z DTSTAMP:20260811T073241Z UID:1786422761@tuc.gr SUMMARY:Παρουσίαση Διπλωματικής Εργασίας κ. Λεωνίδα Κουμπιά - Σχολή ΗΜΜΥ LOCATION: DESCRIPTION:https://www.ece.tuc.gr/el/katalogos- ekdiloseon?tx_tucevents2_tuceventsdi splay%5Baction%5D=show&tx_tucevents2 _tuceventsdisplay%5Bcontroller%5D=Ev ent&tx_tucevents2_tuceventsdisplay%5 Bevent%5D=7976&cHash=108da648c853131 27a875bf2618e6af0\nΠΟΛΥΤΕΧΝΕΙΟ ΚΡΗΤΗ Σ\n Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών\n Πρόγραμμα Π ροπτυχιακών Σπουδών\n ΠΑΡΟΥΣΙΑΣΗ ΔΙΠ ΛΩΜΑΤΙΚΗΣ ΕΡΓΑΣΙΑΣ\n Λεωνίδα Κουμπιά \n με θέμα\n Ηλεκτρικός χαρακτηρισμό ς τρανζίστορ υψηλής κινητικότητας ηλ εκτρονίων Νιτριδίου του Γαλλίου (GaN HEMTs)\n Electrical characterizatio n of Gallium Nitride High Electron M obility Transistors (GaN HEMTs)\n Εξ εταστική Επιτροπή\n Καθηγητής Ματτία ς Μπούχερ (επιβλέπων)\n Καθηγητής Κω νσταντίνος Μπάλας\n Δρ. Νικόλαος Φασ αράκης\n Περίληψη\n Οι αυξανόμενες α παιτήσεις των σύγχρονων ηλεκτρονικών εφαρμογών για τρανζίστορ υψηλής από δοσης ισχύος και λειτουργίας σε υψηλ ές συχνότητες, σε συνδυασμό με την α νάγκη για μικρό μέγεθος, υψηλή ενεργ ειακή απόδοση καθώς και λειτουργία σ ε υψηλή θερμοκρασία, έχουν οδηγήσει σε αυξανόμενη ζήτηση για τρανζίστορ σύνθετων ημιαγωγών υψηλής κινητικότη τας ηλεκτρονίων, όπως τα τα τρανζίστ ορ GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor).\n Στην παρούσα διπλωματ ική εργασία πραγματοποιείται σύντομη ανάλυση της δομής και λειτουργίας τ ης διάταξης GaN HEMT, καθώς και μελέ τη του ευρέος πεδίου εφαρμογών της, όπως ενισχυτές ισχύος RF (RF PAs), μ ετατροπείς ισχύος (inverters), ραντά ρ κ.ά. \n Βασικός στόχος της εργασία ς είναι ο πλήρης πειραματικός χαρακτ ηρισμός διατάξεων GaN HEMT, τα οποία έχουν αναπτηχθεί από το Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέϊζερ του ΙΤ Ε (IESL-FORTH) στο Ηράκλειο. Στο Εργ αστήριο Ηλεκτρονικής της Σχολής ΗΜΜΥ πραγματοποιήθηκε εκστρατεία on-wafe r μετρήσεων ακριβείας τύπου ρεύμα-τά σης (IV) και χωρητικότητας-τάσης (CV ) , σε ευρείο φάσμα θερμοκρασίας. Ο χαρακτηρισμός αυτός καθιστά δυνατή τ ην μοντελοποίησή της μέσω του μοντέλ ου EPFL HEMT.\n Κατόπιν τούτου, παρο υσιάζονται οι μέθοδοι προσδιορισμού των παραμέτρων μοντέλου φορτίων των HEMT, όπως η χωρητικότητα φραγμού Cb , η τάση κατωφλίου VTH, ο παράγων κλ ίσης n, το ειδικό ρεύμα τεχνολογίας Ispec και η κινητικότητα μ. Επιπρόσθ ετα, πραγματοποιείται στατιστική ανά λυση της συμπεριφοράς όμοιων HEMT σε ένα wafer, η οποία οδηγεί στην παρο χή αξιόπιστων στατιστικών των παραμέ τρων αυτών. Συμπερασματικά, ο χαρακτ ηρισμός αυτός συμβάλλει στην μελλοντ ική εμπορική αξιοποίηση της τεχνολογ ίας GaN HEMT του ΙΤΕ.\n Abstract \n The increasing demands of modern ele ctronic applications for high-perfor mance power transistors operating at high frequency while maintaining co mpact size and high energy efficienc y as well as high operating temperat ures, have led to a growing interest in compound semiconductor devices w ith high electron mobility, such as GaN HEMTs (High Electron Mobility Tr ansistors).\n This thesis presents a brief analysis of the structure and operation of the GaN HEMT device, a s well as an overview of its wide ra nge of applications, including RF po wer amplifiers (RF PAs), power inver ters, high-speed switches, radar sys tems, and more. \n The primary objec tive of the study is the detailed ch aracterization of GaN HEMT devices, produced at the Institute of Electro nic Structure and Laser (IESL) at FO RTH in Heraklion, Crete. An on-wafer characterization campaign is carrie d out at the Electronics Laboratory of the School of ECE at TUC, with pr ecision measurements of current-volt age (IV) as well as capacitance-volt age (CV) types, over a large tempera ture range. This characterization en ables the modeling of the devices ba sed on the EPFL-HEMT model.\n Follow ing this, advanced parameter extract ion methods are presented for the ch arge-based HEMT model, such as the b arrier capacitance Cb, the threshold voltage VTH, the slope factor n, th e technology current I0, and the mob ility μ. Furthermore, a statistical analysis is conducted on the behavio r of identical HEMTs across a single wafer, providing reliable statistic al data for the above key parameters . In conclusion, this characterizati on contributes to the potential futu re commercial exploitation of FORTH’ s GaN HEMT technology.\n STATUS:CONFIRMED ORGANIZER;RSVP=FALSE;CN=TUC;CUTYPE=TUC:mailto:webmaster@tuc.gr DTSTART:20250730T110000 DTEND:20250730T120000 TRANSP:OPAQUE CLASS:DEFAULT END:VEVENT END:VCALENDAR